描述
比如,在電氣設(shè)備四周進(jìn)行焊接作業(yè)、無(wú)線對(duì)講機(jī)聯(lián)系、高壓試驗(yàn)等形成電磁場(chǎng),直接對(duì)設(shè)備產(chǎn)生的干擾。另外,由于設(shè)備布局、布線不合理,相鄰或相連設(shè)備之間存在有電容、電感或者絕緣薄弱漏電的耦合型干擾等。 實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)證實(shí),僅有1V、2V;?干擾信號(hào)與測(cè)量信號(hào)疊加起來(lái)使測(cè)量裝置大幅偏離實(shí)際值的差模干擾等,這些都應(yīng)重點(diǎn)防范。
?如何預(yù)防及抑制干擾的措施
隔離措施:例如采用光電耦合器,使電器測(cè)量的開(kāi)關(guān)信號(hào)在電器上完全隔離,可實(shí)現(xiàn)地電位的隔離,對(duì)抑制共模干擾較為有效;采用隔離變壓器,如電壓、電流、直流逆變電源、引線保護(hù)等,避免將電信線與電力線放在同一根電纜線中,將信號(hào)電纜、控制電纜、電力電纜分層敷設(shè);避免測(cè)量回路與強(qiáng)電回路采用同一接地線等。
采取屏蔽:
電場(chǎng)屏蔽,良導(dǎo)體制成的法拉第籠接地良好,以保證零電位,阻止屏蔽設(shè)備外的電場(chǎng)進(jìn)入屏蔽體內(nèi)部。磁場(chǎng)屏蔽,在低頻段要采用導(dǎo)磁材料較好的硅鋼等金屬作為屏蔽體,使干擾磁場(chǎng)的磁力線沿磁阻較小的屏蔽層通過(guò),以減少干擾磁場(chǎng)穿入屏蔽體內(nèi);在高頻段采用上述兩種屏蔽方式,利用屏蔽體阻止高頻電磁場(chǎng)在空間的傳播;利用金屬導(dǎo)體對(duì)電磁波的反射衰減和吸收衰減,當(dāng)電磁波射入金屬屏蔽層時(shí),由于波阻抗的不同,一部分被反射,另一部分在金屬屏蔽層形成渦流而損失,即吸收損耗。如采用帶有鎧裝鉛包屏蔽層的控制電纜,其屏蔽層在升壓站和控制室兩端可靠接地,可以有效地削減地電位升高對(duì)儀表和繼電保護(hù)裝置的干擾;電纜有中間過(guò)渡或中繼連接時(shí),要處理好屏蔽層的連續(xù)性;不要認(rèn)為信號(hào)電纜是低壓設(shè)備,而忽視其絕緣狀態(tài),要保證測(cè)量電纜有良好的絕緣層和干燥環(huán)境;測(cè)量回路的二次插件的屏蔽層,要在保護(hù)屏處可靠接地;禁止用電纜芯線兩端接地,作為抗干擾措施。
?接地:
例如電壓互感器二次中性點(diǎn)的接地,與電流互感器二次電流回路的接地,宜選擇在控制室接地;高頻保護(hù)的二次電壓電纜回路的接地點(diǎn),與一次接地線的接地點(diǎn)有3~5m的距離,有時(shí)要用多根導(dǎo)線接地;繼電保護(hù)的交流電壓、交流電流和直流進(jìn)線,有時(shí)為消除高頻干擾,在進(jìn)入測(cè)量裝置前先經(jīng)電容接地,經(jīng)過(guò)抗干擾后,引入裝置的走線還應(yīng)遠(yuǎn)離直流操作電源線及高頻回路的導(dǎo)線,不要習(xí)慣性地將同一方向的進(jìn)線捆綁在一起。
其他措施:
對(duì)繼電保護(hù)的測(cè)量繼電器,要進(jìn)行1MHz脈沖群干擾試驗(yàn)、靜電放電試驗(yàn)(一般選8kV試驗(yàn)電壓)、輻射電磁場(chǎng)快速瞬變干擾試驗(yàn);對(duì)有可能在繼電保護(hù)裝置四周使用對(duì)講機(jī)的場(chǎng)所,進(jìn)行無(wú)線電信號(hào)干擾試驗(yàn),否則在其四周禁止使用無(wú)線對(duì)講機(jī)或改進(jìn)屏蔽措施;敷設(shè)二次電纜要選好位置,盡量遠(yuǎn)離高壓母線和避免與之平行,盡量遠(yuǎn)離電容式電壓互感器等電容設(shè)備,動(dòng)力電纜與控制電纜不要放在同一電纜層架,信號(hào)電壓較弱的電纜,尤其要遠(yuǎn)離電力或信號(hào)電壓較強(qiáng)的電纜,合理布置和安排電纜走向,以減少和消除寄生電壓的干擾;提高設(shè)備自身的抗干擾性能,采用性能可靠的濾波裝置,使整流后的輸出電壓波紋系數(shù)小于5%;加強(qiáng)接地銅排的維護(hù)保養(yǎng)。
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